이강욱 SK하이닉스 부사장, 세미콘 타이완서 주제발표

이강욱 부사장 (사진=SK하이닉스)
이강욱 부사장 (사진=SK하이닉스)

[월요신문=주윤성 기자]SK하이닉스가 2025년에 고대역폭메모리(HBM) 6세대 제품 HBM4 양산을 시작할 예정이다.

4일 SK하이닉스에 따르면 이강욱 패키징 개발 담당 부사장은 지난 3일 대만 타이베이에서 열린 이종집적 글로벌 서밋 2024에서 'AI 시대를 위한 HBM과 어드밴스드 패키징 기술'에 대한 대한 발표를 통해 "SK하이닉스는 16단 제품 대응을 위한 기술을 개발 중이며, 최근 연구에서 16단 제품에 대한 어드밴스드 MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다"고 밝혔다.

이 부사장은 "HBM은 AI 서버와 고성능 컴퓨터용 메모리로 광범위하게 채택되고 있다"며 "메모리 성능에서 오는 시스템 병목 현상을 극복하기 위한 현존 최고 사양의 D램은 HBM으로 이는 AI 시스템의 훈련, 추론에도 최적의 제품이다"라고 말했다.

현재 SK하이닉스에서 양산되고 있는 8단과 12단 HBM3E는 초당 1.18TB 이상의 데이터를 처리하며 최대 36GB 용량을 지원한다. HBM4는 12·16단 제품으로 공급돼 용량은 최대 48GB, 데이터 처리 속도는 초당 1.65TB 이상으로 성능이 발전할 전망이다.

이강욱 부사장은 세미나에서 SK하이닉스가 독자적으로 개발해 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술의 장점도 설명했다.

그는 "해당 기술은 낮은 본딩 압력·온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 타 공정 대비 유리하다"며 "열 방출 면에서도 타 공정과 비교해 30% 이상의 성능 장점을 가진다"고 말했다.

SK하이닉스는 HBM3E 제품에 어드밴스드 MR-MUF 패키징 기술을 적용해 양산하고 있으며, 내년 하반기에 출하할 예정인 HBM4 12단 제품에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용할 계획이다. 16단 제품에서는 어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두를 적용할 방침이다.

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